| 发明名称 | 贴合晶片的制造方法及贴合晶片的外周磨削装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种贴合晶片的制造方法，是至少在作为单晶硅晶片的接合晶片和基底晶片的至少一个的表面上形成氧化膜，并将接合晶片与基底晶片经由该氧化膜进行贴合，磨削该贴合的接合晶片的外周后，使用与上述氧化膜相比单晶硅的蚀刻速度大的蚀刻液进行蚀刻，除去未结合部，其后使上述接合晶片薄膜化来制造出贴合晶片的方法，其特征为：对上述外周进行磨削时，沿着接合晶片的外周磨削形成沟，并在该沟的外侧形成外缘部；通过其后的蚀刻将上述外缘部与上述接合晶片的沟部一起除去，从而于贴合晶片的外周形成露出基底晶片的露台部。以此，可以提供一种贴合晶片的制造方法，在除去贴合的接合晶片的外周时，更能减少在基底晶片的露台部发生的陷斑。 | ||
| 申请公布号 | CN100533660C | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200680018967.6 | 申请日期 | 2006.05.18 |
| 申请人 | 信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 宫崎进;武井时男;冈部启一 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤 |
| 主权项 | 1. 一种贴合晶片的制造方法，是至少在作为单晶硅晶片的接合晶片和基底晶片的至少一个的表面上形成氧化膜，并将接合晶片与基底晶片经由该氧化膜进行贴合，磨削该贴合的接合晶片的外周后，使用与上述氧化膜相比单晶硅的蚀刻速度大的蚀刻液进行蚀刻，除去未结合部，其后使上述接合晶片薄膜化来制造出贴合晶片的方法，其特征为，对上述外周进行磨削时，沿着接合晶片的外周磨削形成沟，并在该沟的外侧形成外缘部；通过其后的蚀刻将上述外缘部与上述接合晶片的沟部一起除去，从而于贴合晶片的外周形成露出基底晶片的露台部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||