| 发明名称 | 磁记录介质和磁存储单元 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磁记录介质和磁存储单元。所公开的该磁记录介质包括：基板；和按下述次序叠置在该基板上的底层、第一磁性层、非磁性耦合层、第二磁性层、第三磁性层、非磁性分隔层以及第四磁性层。所述第一磁性层与所述第二磁性层是反铁磁地交换耦合的，并且所述第二磁性层与所述第三磁性层是铁磁地交换耦合的。所述第三磁性层具有比所述第二磁性层的各向异性磁场更小的各向异性磁场，并具有比所述第二磁性层的饱和磁化更大的饱和磁化。 | ||
| 申请公布号 | CN100533555C | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200610160435.8 | 申请日期 | 2006.11.16 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 高星英明;远藤敦;村尾玲子;佐藤伸也;菊池晓 |
| 分类号 | G11B5/66(2006.01)I;G11B5/70(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄纶伟;迟 军 |
| 主权项 | 1、一种磁记录介质，该磁记录介质包括：基板；和按下述次序叠置在该基板上的底层、第一磁性层、非磁性耦合层、第二磁性层、第三磁性层、非磁性分隔层以及第四磁性层，其中所述第一磁性层与所述第二磁性层是反铁磁地交换耦合的，所述第二磁性层与所述第三磁性层是铁磁地交换耦合的；所述第三磁性层具有比所述第二磁性层的各向异性磁场更小的各向异性磁场，并具有比所述第二磁性层的饱和磁化更大的饱和磁化；以及所述第二磁性层和所述第三磁性层满足Hk3+2000(0e)≤Hk2的关系，其中Hk2是所述第二磁性层的各向异性磁场，Hk3是所述第三磁性层的各向异性磁场。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||