| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。一种制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成隧道绝缘层、第一导电层、介电层、第二导电层和栅电极层；图案化栅电极层以暴露第二导电层；在栅电极层的侧壁上形成保护层；和蚀刻暴露的第二导电层、介电层和第一导电层以形成栅极图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101515598A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200810111499.8 | 申请日期 | 2008.06.26 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李圣勋 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：在半导体衬底上形成的隧道绝缘层、用于浮置栅极的导电层、介电层、用于控制栅极的导电层和栅电极层；和在所述栅电极层的侧壁上形成的保护层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||