半导体装置

摘要

本发明的半导体装置，在防止因静电放电导致的半导体装置的破坏的ESD保护电路中，提供不增加半导体装置的芯片面积并对ESD破坏具有高耐受性的ESD保护电路。其中，第一导电型的扩散层和第二导电型的扩散层的结构成的二极管型ESD保护电路，在比芯片的内部电路和焊盘更外侧的整个外围区域或一部分外围区域形成，并且，第一导电型的扩散层和第二导电型的扩散层中的任一层，使用为固定芯片的衬底电位而形成的与芯片外围区域的电源或地电连接的扩散层，从而，能够不增加芯片面积地增大ESD保护电路的尺寸，提高半导体装置对ESD破坏的耐受性。

主权项

1.一种半导体装置，其中设有：半导体芯片；在所述半导体芯片的内侧配置的内部电路区域；与所述内部电路区域邻接而配置的焊盘区域；以及二极管型ESD保护电路，配置在所述内部电路区域及所述焊盘区域的外侧的所述半导体芯片的整个外围区域或一部分外围区域，该二极管型ESD保护电路由用以固定所述半导体芯片的衬底电位的第一导电型的扩散层和在所述第一导电型的扩散层的内侧配置的第二导电型的扩散层的结构成。