发明名称 | 一种低含氧量硅晶体的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种低含氧量硅晶体的制备方法,包括将硅熔液置入石英坩埚反应器内,采用定向凝固法或提拉法制备硅晶体,在硅晶体的制备过程中,将用于降低硅晶体内氧含量的气体通过硅熔液表面,所述的用于降低硅晶体内氧含量的气体中含有CF<sub>4</sub>。本发明方法操作简单,易于工业化生产,并能保证系统的安全性。 | ||
申请公布号 | CN101514487A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
申请号 | CN200910096219.5 | 申请日期 | 2009.02.27 |
申请人 | 浙江碧晶科技有限公司 | 发明人 | 李乔;马远 |
分类号 | C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 胡红娟 |
主权项 | 1、一种低含氧量硅晶体的制备方法,包括将硅熔液置入石英坩埚反应器内,采用定向凝固法或提拉法制备硅晶体,在硅晶体的制备过程中,将用于降低硅晶体内氧含量的气体通过硅熔液表面,其特征在于:所述的用于降低硅晶体内氧含量的气体中含有CF4。 | ||
地址 | 312300浙江省上虞市人民西路567号 |