| 发明名称 | 形成浅槽隔离区的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种形成浅槽隔离区的方法，此方法包括提供一半导体基材，其中半导体基材至少包含一上表面；形成一开口，其中此开口从前述的上表面延伸至半导体基材中；进行一共形沉积步骤，以利用一介电材料填入前述的开口中；对介电材料进行一第一处理步骤，其中第一处理步骤提供一能量足以破坏介电材料的多个键结；以及对介电材料进行一蒸汽退火步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101515560A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200810093278.2 | 申请日期 | 2008.05.19 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈能国;张致祥;曾国华;蔡正原 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿 宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种形成浅槽隔离区的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一半导体基材，其中该半导体基材至少包含一上表面；形成一开口，其中该开口从该上表面延伸至该半导体基材中；进行一共形沉积步骤，以利用一介电材料填入该开口中；对该介电材料进行一第一处理步骤，其中该第一处理步骤提供一能量足以破坏该介电材料的多个键结；以及对该介电材料进行一蒸汽退火步骤。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||