| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体器件的制造方法是对层叠有芯片和未固化的接合剂层的布线基板进行加热，使所述未固化的接合剂层固化来制造半导体器件的方法，其特征在于，包括如下的静压加压工序：在所述固化前，通过比常压高0.05MPa以上的静压对所述层叠有芯片和未固化的接合剂层的布线基板进行加压。上述半导体器件的制造方法可以在不受基板设计的影响的情况下简便地消除空洞，且这时也不会发生接合剂的上溢。 | ||
| 申请公布号 | CN101517720A | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200780034235.0 | 申请日期 | 2007.08.07 |
| 申请人 | 琳得科株式会社 | 发明人 | 山崎修;市川功;佐伯尚哉 |
| 分类号 | H01L21/52(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 冯 雅 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，它是对层叠有芯片和未固化的接合剂层的布线基板进行加热，使所述未固化的接合剂层固化来制造半导体器件的方法，其特征在于，包括如下的静压加压工序：在所述固化前，通过比常压高0.05MPa以上的静压对所述层叠有芯片和未固化的接合剂层的布线基板进行加压。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||