| 发明名称 | 电抽运硅基Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O薄膜紫外随机激光器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电抽运硅基Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O薄膜紫外随机激光器及其制备方法。该随机激光器的结构为：在硅衬底的正面自下而上依次沉积有Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O，0＜x≤0.35薄膜、介质薄膜和电极，在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极，其中，介质为氧化硅、氧化铝或氮化硅。本发明的硅基随机激光器不需要传统的激光谐振腔，制备工艺简单，且所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容，在光电子集成等方面有潜在的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN101510664A | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN200910097137.2 | 申请日期 | 2009.03.23 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 马向阳;陈培良;田野;杨德仁 |
| 分类号 | H01S3/14(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I;H01S3/09(2006.01)I;H01S3/02(2006.01)I;H01S3/038(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C20/08(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I | 主分类号 | H01S3/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1. 电抽运硅基MgxZn1-xO薄膜紫外随机激光器，其特征是在硅衬底(1)的正面自下而上依次沉积有MgxZn1-xO，0<x≤0.35薄膜(2)、介质薄膜(3)和电极(4)，在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极(5)，其中，介质为氧化硅、氧化铝或氮化硅。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市浙大路38号 | ||