发明名称 | 半导体装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种半导体装置,通过对支承SOI层的硅基板的杂质浓度进行调整,并控制在与SOI层相接的硅基板表面形成的嵌入绝缘层的厚度,可得到能够调整阈值的晶体管。 | ||
申请公布号 | CN101512774A | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
申请号 | CN200780031903.4 | 申请日期 | 2007.06.21 |
申请人 | 国立大学法人东北大学;财团法人国际科学振兴财团 | 发明人 | 大见忠弘;寺本章伸;程炜涛 |
分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
主权项 | 1、一种半导体装置,利用至少具有第一半导体区域、形成在第一半导体区域上的嵌入绝缘物层和形成在嵌入绝缘物层上的第二半导体区域的基板而形成,将所述第二半导体区域的至少一部分作为沟道区域,在其上具有栅极绝缘膜及栅电极,其特征在于,根据所述嵌入绝缘物层的厚度、所述第一半导体区域的杂质浓度、所述第二半导体区域的杂质浓度中的至少一个控制阈值。 | ||
地址 | 日本国宫城县 |