| 发明名称 |
METHOD FOR MANUFACTURING GROUP-III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND GROUP-III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1376664(A4) |
申请公布日期 |
2009.08.19 |
| 申请号 |
EP20020703977 |
申请日期 |
2002.03.12 |
| 申请人 |
TOYODA GOSEI CO., LTD. |
发明人 |
NAGAI, SEIJI;KOIKE, MASAYOSHI;TOMITA, KAZUYOSHI |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/205;H01L33/00;H01S5/343 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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