用半导体材料薄层覆盖的碳带以及淀积这样的薄层的方法

摘要

本发明涉及一种将被半导体材料制造的薄层(72或74)所覆盖的碳带(54)，以及涉及一种用于将所述类型的层淀积到由碳带构成的基底上的方法。基本上，当使所述带在熔化的半导体材料的熔体(12)中垂直并向上通过时，半导体材料层(72、74)将覆盖所述碳带的至少两侧(58、60)中的一侧。根据本发明，突出所述碳带的所述两侧中的至少一侧的两个边缘以形成阻流板(68、70、98、100)。

主权项

1.一种在碳带(54)的两个面(58、60)中的至少一个面上淀积半导体材料层(72、74)的方法，所述带具有两个边缘(34、36)，在所述方法中逐渐朝上(18)垂直地拉拔所述带纵向通过熔化的半导体材料的熔体(12)的水平平衡表面，当拉拔所述碳带时，通过润湿所述碳带的所述两个面中的所述至少一个面淀积所述熔化的半导体材料的熔体(12)，所述方法的特征在于其在于改变所述带的所述边缘的形状(62-64-66、90-92-94)以便增加在所述带的所述边缘上淀积的所述半导体材料层的厚度。