| 发明名称 | 电气结面中解除钉止半导体费米能阶的方法及结合该结面的设备 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种用于在电气结面中解除钉止半导体费米能阶的方法以及结合这种结面的设备的相关应用。一种电气设备，其内部的中间层(520)放置在与其接触的金属和硅基片半导体之间，当允许电流在金属和半导体之间流动时，具有厚度的中间层就可有效的解除钉止半导体费米能阶。中间层可以包括钝化材料层(例如，由氮，氧，氮氧化物，砷，氢和/或氟组成的)，并且有时也包括分隔层。在一些实例中，中间层可以是单层的半导体钝化材料。电气设备的中间层厚度对应于小于或等于10Ω·μm<sup>2</sup>的最小接触电阻率，或甚至小于或等于1Ω·μm<sup>2</sup>的最小接触电阻率。 | ||
| 申请公布号 | CN100530682C | 申请公布日期 | 2009.08.19 |
| 申请号 | CN03819497.X | 申请日期 | 2003.08.08 |
| 申请人 | 艾康技术公司 | 发明人 | 丹尼尔·E·格鲁普;丹尼尔·J·科尼利 |
| 分类号 | H01L29/45(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/45(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿 宁 |
| 主权项 | 1、一种电气设备，其特征在于其包括：一种金属；一个具有费米阶能的硅基半导体；以及一个放置在该金属和该半导体之间并与两者都接触具有小于1纳米厚度的分界层，配置来解除钉止金属的费米阶能。其中，电气设备具有小于或等于1000Ω·μm2的接触电阻率。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||