金属氧化物半导体P-N结二极管结构及其制作方法

摘要

一种金属氧化物半导体P-N结二极管结构及其制作方法，该方法包含步骤：提供一基板；于基板上形成一第一掩模层；进行第一光刻蚀刻工艺，于基板上形成一沟渠结构；于沟渠结构内进行第一离子注入工艺；进行一第二光刻蚀刻工艺，形成一侧壁结构；于沟渠结构的底部与该侧壁结构上形成一第二掩模层；进行第三光刻蚀刻工艺，于沟渠结构中形成一栅极结构；于沟渠结构内进行一第二离子注入工艺；于去除光致抗蚀剂后在该沟渠结构内进行一第三离子注入工艺；进行一蚀刻工艺；于所得结构的表面上形成一金属层；以及进行一第四光刻蚀刻工艺，去除掉部分金属层。该二极管元件反应速度快，正向导通压降值低，反向偏压漏电流小。

主权项

1. 一种金属氧化物半导体P-N结二极管制作方法，该方法至少包含下列步骤：提供一基板；于该基板上形成一第一掩模层；对该基板进行一第一光刻蚀刻工艺，进而去除部分该第一掩模层并于该基板上形成一沟渠结构；于该第一沟渠结构内进行一第一离子注入工艺，进而于该基板上形成一第一深度注入区域；对该基板进行一第二光刻蚀刻工艺，进而去除部分该第一掩模层以形成一侧壁结构；于该沟渠结构的底部与该侧壁结构上形成一第二掩模层；对该基板进行一第三光刻蚀刻工艺，进而于该沟渠结构中形成一栅极结构；于该沟渠结构内进行一第二离子注入工艺，进而于该基板上形成相邻于该第一深度注入区域的一第二深度注入区域；于光致抗蚀剂去除后，于该沟渠结构内进行一第三离子注入工艺，进而于该基板上形成相邻于该第二深度注入区域的一第三深度注入区域；进行一蚀刻工艺，进而去除部分该第二掩模层；于该沟渠结构的底部、该栅极结构的表面与该侧壁结构上形成一金属层；以及对该基板进行一第四光刻蚀刻工艺，进而去除掉部分该金属层。