包括作为存储节点的电阻变化层的存储器件的制造方法

摘要

提供了一种制造包括电阻变化层作为存储节点的存储器件的方法。所述方法包括：在底层上依次堆叠导电材料层、二极管层和数据存储层；在所述数据存储层上形成第一材料层；在所述第一材料层中形成暴露所述数据存储层的第一孔；在所述第一孔的侧壁上用第二材料层形成第一间隙壁；用第三材料层填充所述第一孔并覆盖所述第一间隙壁；除去所述第一材料层；在所述第一间隙壁的侧壁上用第四材料层形成第二间隙壁；除去所述第三材料层；以及使用所述第一和第二间隙壁作为掩模在第一堆叠结构中形成暴露底层的第二孔。这些操作结果形成了位线，然后形成字线。

主权项

1.一种制造存储器件的方法，其中数据存储在字线和位线彼此交叉的区域中，所述方法包括：(a)在底层上依次堆叠第一导电材料层、二极管层和数据存储层；(b)在所述数据存储层上形成第一材料层；(c)在所述第一材料层中以条纹形状形成第一孔，所述孔暴露所述数据存储层；(d)在所述第一孔的侧壁上用第二材料层形成第一间隙壁；(e)用第三材料层填充所述第一孔，覆盖所述第一间隙壁；(f)除去所述第一材料层；(g)在除去所述第一材料层而暴露的所述第一间隙壁的侧壁上用第四材料层形成第二间隙壁；(h)除去所述第三材料层；以及(i)使用所述第一和第二间隙壁作为掩模在包括所述第一导电材料层、所述二极管层和所述数据存储层的第一堆叠结构中形成条纹形状的第二孔，所述第二孔暴露所述底层。