发明名称 |
显示元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种显示元件及其制造方法。该方法包含以下步骤:首先,依序于一基板上形成一第一图案化导电层以及覆盖该第一图案化导电层的一介电层,其中第一图案化导电层包含一栅极。然后,形成一图案化半导体层于介电层上,其中图案化半导体层包含一通道区,以及位于通道区两相对侧的一源极与一漏极。之后,选择性沉积一阻障层,以包覆图案化半导体层。最后,形成一第二图案化导电层于源极与漏极上方的阻障层上。该方法形成的显示元件包含一图案化阻障层及图案化半导体层,其中该图案化阻障层仅包覆图案化半导体层。 |
申请公布号 |
CN100530570C |
申请公布日期 |
2009.08.19 |
申请号 |
CN200710152081.7 |
申请日期 |
2007.10.09 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
陈柏林;蔡文庆;林俊男;杜国源 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
梁 挥;祁建国 |
主权项 |
1、一种制造显示元件结构的方法,其特征在于,包含:提供一基板;依序于该基板上形成一第一图案化导电层以及一介电层,其中该第一图案化导电层包含一栅极,且该介电层为覆盖该第一图案化导电层;形成一图案化半导体层于该介电层上,该图案化半导体层包含一通道区及于该通道区两相对侧的一源极与一漏极;选择性沉积一阻障层,以仅包覆该图案化半导体层;以及形成一第二图案化导电层,覆盖该源极与该漏极上方的该阻障层,以及邻近该源极与该漏极的部分该介电层。 |
地址 |
台湾省新竹 |