通过超快退火非晶材料外延硅碳替位固溶体

摘要

通过超快退火非晶的包含碳的硅材料可以获得硅碳的外延替位固溶体(101)。在这样的温度下进行退火，所述温度高于重结晶点但低于材料的熔点，并优选地在所述温度范围内持续小于100毫秒。优选地，所述退火为闪光退火或激光退火。所述方法能够制造外延的包含硅和碳的材料(101)，其中基本上所述碳原子的一部分在替位的晶格位置处。在需要存在外延的Si_1-yC_y，y＜0.1用于应力设计或带隙设计的情况下，所述方法在CMOS工艺和其它电子器件制造中尤为有用。

主权项

1. 一种形成包含硅和碳的合金的外延结构(101)的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供衬底(100)，所述衬底(100)具有包含硅和碳原子的非晶区域，以及(b)超快退火所述非晶区域以结晶化所述区域，由此使所述碳原子的至少一部分占据在所述区域中产生的晶体材料中的晶格位置。