发光二极管器件及其制造方法

摘要

一种双异质结构发光二极管器件，包括有源层(6)、正电极侧覆层、负电极侧覆层(4)、窗口层(9)和未掺杂AlInP层。正电极侧覆层包括生长到0.5μm厚度的未掺杂AlInP层(7)，和掺杂呈现p型导电性并具有落入未掺杂AlInP层的能带隙值和窗口层的能带隙值之间的中间能带隙值的中间层(8)。中间层上的窗口层是在730℃或更高温度下并以7.8μm/小时或更快的生长速率在存在作为掺杂剂的Zn时生长的GaP层。负电极侧覆层具有0.1μm或更大厚度的未掺杂AlInP层(5)。利用这种结构，提供了一种发光二极管器件，能够提高窗口层的结晶度，防止由高温处理引起的缺陷的产生，并在落入黄绿带的波长下获得高亮度。

主权项

1. 一种发光二极管器件，包括：AlGaInP有源层(6)；正电极侧覆层和负电极侧覆层，将所述有源层夹在中间并具有比所述有源层的能带隙值更大的能带隙值；以及窗口层(9)，在所述正电极侧覆层上形成并具有比所述有源层更大的能带隙值，所述窗口层为GaP层；其中所述正电极侧覆层包括生长到0.5μm或更大厚度并与所述有源层保持接触的未掺杂AlInP层(7)，以及掺杂呈现p型导电性、与所述窗口层保持接触并具有落入所述未掺杂AlInP层的能带隙值和所述窗口层的能带隙值之间的中间能带隙值的中间层(8)，所述未掺杂AlInP层、中间层和窗口层的能带隙值依次减小。