发明名称 激光加工方法及半导体芯片
摘要 本发明提供一种激光加工方法,即使在形成有含有多个功能元件的叠层部的基板较厚的情况下,也可高精确度地切断基板及叠层部。是通过将背面(21)作为激光射入面使聚光点(P)对准基板(4)的内部并照射激光(L),而在基板(4)的内部形成改质区域(71、72、73)。通过在最接近于背面(21)的分断改质区域(72)及背面(21)之间的位置形成HC改质区域(73),从HC改质区域(73)向背面(21)产生沿着预定切断线延伸的断裂(24)。由此,将伸展带贴附在基板(4)的背面(21)并使其扩张时,断裂经由分断改质区域(72)从基板(4)朝叠层部(16)顺利地进行,其结果,可使基板(4)及叠层部(16)沿着预定切断线精度良好地被切断。
申请公布号 CN100527360C 申请公布日期 2009.08.12
申请号 CN200580010861.7 申请日期 2005.03.25
申请人 浜松光子学株式会社 发明人 坂本刚志;福满宪志
分类号 H01L21/301(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I;B23K26/04(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I;B23K101/40(2006.01)I 主分类号 H01L21/301(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人 龙 淳
主权项 1. 一种激光加工方法,是通过将聚光点对准在表面形成有包含多个功能元件的叠层部的基板内部并照射激光,以此沿着所述基板的预定切断线,在所述基板内部形成作为切断起点的改质区域的方法,其特征在于,包括:形成多列沿着所述预定切断线的第1改质区域的工序,通过在最接近于所述基板的背面的所述第1改质区域和所述背面之间的位置上,形成至少1列沿着所述预定切断线的第2改质区域,以此,从所述第2改质区域向所述背面发生沿着所述预定切断线的断裂的工序;和以所述第1改质区域和所述第2改质区域为起点,向所述叠层部发生沿着所述预定切断线的断裂,沿着所述预定切断线切断所述基板及所述叠层部的工序。
地址 日本静冈县