窄宽度金属氧化物半导体晶体管

摘要

本发明公开一种用于增强PMOS和NMOS晶体管性能、尤其是电流驱动性能，同时减小窄宽度效应的半导体晶体管。窄宽度MOS晶体管包括：沟道，其宽度为W0且长度为L0；有源区，包括以沟道为中心在两侧形成的源极区和漏极区；栅极绝缘层，其形成在沟道上；栅极导体，其形成在栅极绝缘层上，并且与有源区交叉；第一附加有源区，其宽度大于沟道的宽度W0，作为添加到源极区的有源区；以及第二附加有源区，其宽度大于沟道的宽度W0，作为添加到漏极区的有源区。当具有附加有源区的晶体管结构被应用到NMOS和PMOS晶体管时，驱动电流被分别表示为107.27％和103.31％。因此，PMOS和NMOS晶体管的驱动电流增强。

主权项

1. 一种由金属氧化物半导体制成的MOS晶体管，所述MOS晶体管包括：沟道，其宽度为W0且长度为L0；有源区，包括以沟道为中心在两侧形成的源极区和漏极区；栅极绝缘层，其形成在沟道上；栅极导体，其形成在栅极绝缘层上，并且与有源区交叉；第一附加有源区，其宽度大于沟道的宽度W0，作为添加到源极区的有源区；以及第二附加有源区，其宽度大于沟道的宽度W0，作为添加到漏极区的有源区，其中，所述第一附加有源区的长度小于与所述第一附加有源区相对应的源极区的长度，所述第二附加有源区的长度小于与所述第二附加有源区相对应的漏极区的长度。