| 发明名称 | 基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基板处理方法，包括：第一工序，将形成有金属层的被处理基板设定在第一温度，使含有有机化合物的处理气体附着在所述金属层上形成金属络合物；和第二工序，将所述被处理基板加热成比所述第一温度高的第二温度，使所述络合物升华。 | ||
| 申请公布号 | CN101506949A | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200780031448.8 | 申请日期 | 2007.08.10 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 三好秀典;石川健治;立石秀树;林雅一;西川伸之 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种基板处理方法，其特征在于，包括：第一工序，将形成有金属层的被处理基板设定为第一温度，使含有有机化合物的处理气体吸附在所述金属层上形成金属络合物；和第二工序，将所述被处理基板加热至比所述第一温度高的第二温度，使所述金属络合物升华。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||