发明名称 | 集成电路与放电电路 | ||
摘要 | 本发明提供一种集成电路,包括存储器装置与放电电路,其中存储器装置包括存储器单元、阱区电压线、第一极电压线以及第一电压源,第一电压源于抹除阶段供应第一电压至阱区电压线,并于第一极电压线耦合出一耦合电压。放电电路包括第一开关电路耦接于阱区电压线、第一极电压线以及一第二电压源之间;第二开关电路耦接于第一开关电路与参考位准之间;第一控制电压源耦接至第一开关电路,于第一放电阶段供应第一控制电压导通第一开关电路,使得阱区电压线与第一极电压线耦接至第二电压源;第二控制电压源耦接至第二开关电路,于第二放电阶段供应第二控制电压导通第二开关电路,使得阱区电压线与第一极电压线耦接至参考位准。 | ||
申请公布号 | CN101504866A | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
申请号 | CN200810005440.0 | 申请日期 | 2008.02.04 |
申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 曾德彰;杜君毅;荒川秀贵;山崎恭治 |
分类号 | G11C16/14(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/14(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
主权项 | 1. 一种集成电路,包括:一存储器装置,包括:一存储器单元;一阱区电压线,耦接至上述存储器装置的一阱区;一第一极电压线,耦接至上述存储器单元的一第一第一极;以及一第一电压源,用于在一抹除阶段时,供应一第一电压至上述阱区电压线,并于上述第一极电压线耦合出一耦合电压,其中上述第一电压足以抹除上述存储器单元中储存的一数据;以及一放电电路,用以在上述抹除阶段结束后将上述阱区电压线与上述第一极电压线放电,上述放电电路包括:一第一开关电路,耦接于上述阱区电压线、上述第一极电压线以及一第二电压源之间,其中上述第二电压源供应小于上述第一电压与上述耦合电压的一第二电压;一第二开关电路,耦接于上述第一开关电路与一参考位准之间,其中上述参考位准小于上述第一电压;一第一控制电压源,耦接至上述第一开关电路,于一第一放电阶段供应一第一控制电压以导通上述第一开关电路,使得上述阱区电压线与上述第一极电压线耦接至上述第二电压源;以及一第二控制电压源,耦接至上述第二开关电路,于一第二放电阶段供应一第二控制电压以导通上述第二开关电路,使得上述阱区电压线与上述第一极电压线耦接至上述参考位准。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 |