发明名称 |
二氧化钛光催化切割石墨烯的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种二氧化钛光催化切割石墨烯的方法。该方法包括如下步骤:1)在衬底上制备石墨烯片层;2)在石英衬底上构建凸起的二氧化钛纳米结构层,得到二氧化钛掩膜;3)将二氧化钛掩模的二氧化钛纳米结构层与石墨烯片层接触,用紫外光进行光照,二氧化钛掩膜在紫外光照射下发生光催化反应的同时对石墨烯进行切割,得到图案化的石墨烯。本方法避免了溶液相的使用,具有效率高,反应条件温和,不受基底限制,因而与现行半导体工艺相兼容的优点,为石墨烯表面柔性电子学器件的开发奠定了基础。 |
申请公布号 |
CN101503174A |
申请公布日期 |
2009.08.12 |
申请号 |
CN200910080079.2 |
申请日期 |
2009.03.18 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
刘忠范;张黎明 |
分类号 |
B82B3/00(2006.01)I;B01J21/06(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I |
主分类号 |
B82B3/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
关 畅 |
主权项 |
1、一种二氧化钛光催化切割石墨烯的方法,包括如下步骤:1)在衬底上制备石墨烯片层;2)在石英衬底上构建凸起的二氧化钛纳米结构层,得到二氧化钛掩膜;3)将所述二氧化钛掩模的二氧化钛纳米结构层与所述步骤1)得到的石墨烯片层接触,用紫外光进行光照,所述二氧化钛掩膜在紫外光照射下发生光催化反应的同时对石墨烯进行切割。 |
地址 |
100871北京市海淀区颐和园路5号 |