| 发明名称 | 基于阳极修饰的有机发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明是一种基于阳极修饰的有机发光二极管，其在有机发光二极管的氧化铟锡阳极上，沉积十六氟代酞菁铜构成的强拉电子分子层，形成完整偶极层，再在强拉电子分子层上，顺序分别构筑有机发光二极管的各功能层：至少一层有机膜和阴极。该有机发光二极管，成本低，具有高发光效率和较低的操作电压。本发明同时公开了基于阳极修饰的有机发光二极管阳极的修饰方法，操作简单，修饰后的电极，可用于多种器件结构，具有高透光性，对于蓝绿光有增透作用。 | ||
| 申请公布号 | CN100527465C | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200510126485.X | 申请日期 | 2005.12.14 |
| 申请人 | 中国科学院化学研究所 | 发明人 | 于贵;狄重安;刘云圻;徐新军;朱道本 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种基于阳极修饰的有机发光二极管，包括衬底、阳极、阴极；其特征在于，在有机发光二极管的氧化铟锡阳极上，沉积强拉电子分子层，形成完整偶极层，再在强拉电子分子层上，顺序分别构筑有机发光二极管的各功能层：至少一层有机膜和阴极；所述强拉电子分子，为十六氟代酞菁铜。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村北一街2号 | ||