半导体器件的凸点结构和制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件和制造该器件的方法，该器件使用凸点结构，其包括多个第一方向上沿衬底排列的凸点结构。每个凸点结构在第一方向上具有的宽度大于相继排列的凸点结构之间的间距，且至少一个凸点结构具有面对第一方向的非导电侧壁。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：沿衬底在第一方向上排列的多个凸点结构，每个凸点结构在第一方向上的宽度大于相继排列的凸点结构之间的间距并且包括非导电凸点和至少设置在所述非导电凸点的顶表面上的导电层，以及至少一个凸点结构的非导电凸点具有面向第一方向并且对外暴露的侧壁，其中，彼此相邻且彼此面对的面向第一方向的所述侧壁中的至少一个对外暴露。