| 发明名称 | 一种用于相变存储器的硅-硒化锡纳米多层复合相变薄膜材料 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于低操作电流相变存储器的Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料。本发明的Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料中单层Si薄膜和单层SnSe2薄膜交替排列成多层膜结构，且单层Si薄膜的厚度为3~40nm，单层SnSe2薄膜的厚度为4~10nm；所述Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料的总厚度为75～210nm。基于本发明Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料的相变存储器具有操作电流极低的优势，同时对数据的保持能力较强，可用于低操作电流相变存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN102683587A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201210158661.8 | 申请日期 | 2012.05.21 |
| 申请人 | 同济大学 | 发明人 | 沈波;孙明成;翟继卫 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 许亦琳;余明伟 |
| 主权项 | 一种Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料，其特征在于，所述Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料中单层Si薄膜和单层SnSe2薄膜交替排列成多层膜结构；单层Si薄膜的厚度为3~40nm，单层SnSe2薄膜的厚度为4~10nm；所述Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料的总厚度为75～210nm。 | ||
| 地址 | 200092 上海市杨浦区四平路1239号 | ||