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Durch Herstellen einer Isolationsstruktur, die sich über das Höhenniveau hinauserstreckt, das durch das Halbleitermaterial eines aktiven Gebiets definiert ist, können entsprechende Vertiefungen in Verbindung mit der Gateelektrodenstruktur nach der Herstellung der grundlegenden Transistorstrukturen gebildet werden. Diese Vertiefungen können nachfolgend mit einem geeigneten Kontaktmaterial gefüllt werden, wodurch großflächige Kontakte in einer selbstjustierenden Weise gebildet werden, ohne dass eine Abscheidung und Strukturierung eines dielektrischen Zwischenschichtmaterials erforderlich ist. Anschließend wird die erste Metallisierungsschicht beispielsweise auf der Grundlage gut etablierter Techniken hergestellt, wobei die Metallleitungen direkt mit den jeweiligen "großflächigen" Kontaktelementen verbunden sind.
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