| 发明名称 | 包括电阻层、微沟槽和介电层的高性能静电吸盘 | ||
| 摘要 | 一种于处理期间固定半导体晶片的静电吸盘。静电吸盘包括基底元件、电阻层、介电层(其包括气压分布微沟槽网络)、气体间隙(其位于半导体晶片背面和介电层之间)以及一对高压电极(其位于电阻层和介电层之间)。静电吸盘可以进一步包括至少一接地电极，其位于电阻层和介电层之间，而提供用于气压分布微沟槽网络的屏蔽。静电吸盘的特征在于大于或约为200mW/Kcm<sup>2</sup>的热传系数、小于或约为1秒的反应时间和小于或约为0.5sccm的气体泄漏。要强调的是提供本摘要乃为了符合法规的要求，其将允许检索人员或其他读者能快速确认技术揭示的主题。本摘要是基于它将不用于解释或限制申请专利的范围和意义的理解下而提出的。 | ||
| 申请公布号 | CN100524685C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200480010927.8 | 申请日期 | 2004.04.21 |
| 申请人 | 艾克塞利斯技术公司 | 发明人 | P·克雷曼;V·班威尼斯特;M·法瑞德;D·史东 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H02N13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京 |
| 主权项 | 1. 一种于处理期间固定半导体晶圆的静电夹盘，该静电夹盘包括：基底元件；电阻层；介电层，其包括气压分布微沟槽网络；气体间隙，其位在半导体晶圆背面和该介电层之间；以及一对高压电极，其位在该电阻层和该介电层之间。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||