发明名称 |
表面发射半导体激光器及其制造方法 |
摘要 |
一种表面发射半导体激光器包括:衬底、衬底上的半导体层叠层、在叠层上形成并具有激光发射窗的台体,和至少覆盖台体的侧面和外围部分的绝缘膜,该台体的外围部分由叠层形成。绝缘膜的末端被设置得比衬底的截断端更靠内。 |
申请公布号 |
CN100524984C |
申请公布日期 |
2009.08.05 |
申请号 |
CN03156934.X |
申请日期 |
2003.09.15 |
申请人 |
富士施乐株式会社 |
发明人 |
大森诚也 |
分类号 |
H01S5/18(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李 辉 |
主权项 |
1. 一种表面发射半导体激光器,该激光器包括:衬底;衬底上的半导体层叠层;在该叠层上形成的并且具有激光发射窗的台体;至少覆盖台体的侧面和外围部分的绝缘膜,该台体的外围部分由叠层形成并形成在衬底上,以及在绝缘膜上形成的电极焊盘,该电极焊盘形成在绝缘膜上并通过引出互连与台体相连接;该位于台体的外围部分上的绝缘膜的末端比衬底的切割表面更靠内,其中所述的绝缘膜末端的形状与台体的外形、电极焊盘及引出互连相对应,并且所述的绝缘膜具有一个切口部分以围绕台体的外围。 |
地址 |
日本东京 |