发明名称 表面发射半导体激光器及其制造方法
摘要 一种表面发射半导体激光器包括:衬底、衬底上的半导体层叠层、在叠层上形成并具有激光发射窗的台体,和至少覆盖台体的侧面和外围部分的绝缘膜,该台体的外围部分由叠层形成。绝缘膜的末端被设置得比衬底的截断端更靠内。
申请公布号 CN100524984C 申请公布日期 2009.08.05
申请号 CN03156934.X 申请日期 2003.09.15
申请人 富士施乐株式会社 发明人 大森诚也
分类号 H01S5/18(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I 主分类号 H01S5/18(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 李 辉
主权项 1. 一种表面发射半导体激光器,该激光器包括:衬底;衬底上的半导体层叠层;在该叠层上形成的并且具有激光发射窗的台体;至少覆盖台体的侧面和外围部分的绝缘膜,该台体的外围部分由叠层形成并形成在衬底上,以及在绝缘膜上形成的电极焊盘,该电极焊盘形成在绝缘膜上并通过引出互连与台体相连接;该位于台体的外围部分上的绝缘膜的末端比衬底的切割表面更靠内,其中所述的绝缘膜末端的形状与台体的外形、电极焊盘及引出互连相对应,并且所述的绝缘膜具有一个切口部分以围绕台体的外围。
地址 日本东京