| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 当用常规的脉冲激光照射半导体膜时，在半导体膜的表面上引起称作脊的不平坦。在顶栅型TFT的情况下，元件的特性根据脊而改变，具体地说，有在彼此电学并联的多个薄膜晶体管中存在变化的问题。根据本发明，在制造包括多个薄膜晶体管的电路时，增大通过用连续波激光照射半导体膜熔化的区域(不包括微晶区域)的宽度LP，并且在一个区域中设置多个薄膜晶体管(彼此并联电连接)的有源层。 | ||
| 申请公布号 | CN100524659C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200580025836.6 | 申请日期 | 2005.07.25 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;田中幸一郎 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体装置的方法，其包括以下步骤：在绝缘表面上形成半导体膜；用激光束扫描所述半导体膜，使所述半导体膜结晶化；通过将结晶了的半导体膜图案化，以至少形成第一和第二半导体岛；以及使用所述第一半导体岛至少作为第一沟道形成区来形成第一薄膜晶体管并且使用所述第二半导体岛至少作为第二沟道形成区来形成第二薄膜晶体管，其中WC和WS的总和小于激光束的宽度LP，其中WC是第一和第二沟道形成区宽度的和，而WS是第一和第二沟道形成区之间的间隔，以及所述激光束是重复率大于等于10MHz且小于等于100GHz的脉冲激光束。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||