半导体静电保护器件平面导电介质缓冲层工艺方法

摘要

半导体保护器件常用深结扩散工艺，常用N型单晶片或外延片；P型单晶片或P型外延片，在其上通过氧化光刻形成窗口，再通过离子注入或扩散P型杂质或N型杂质形成较深PN结。使其界面处，曲率半径平缓，承受大ESD功率冲击。但由于长时间高温扩散，缺陷增多，电压均匀性变差，高温漏电增大。本发明采用N型或P型单晶片或外延片，通过低温800℃～980℃，短时间10分钟至60分钟扩散，再生长低温导电介质，形成非常好的均匀PN结，反向电压一致性好，热扩散缺陷少，并有很好抗静电能力。

主权项

1. 一种半导体保护器件的制造方法，在硅衬底1上氧化一层SiO2 2，通过扩散或注入在一定温度下形成有源区3，再通过淀积平面导电介质缓冲层4，最后蒸镀正面金属，形成PN结保护器件。其特征在于，注入或扩散形成PN结后，不是直接蒸镀金属，而是在金属层下，生长一层80～20000A°的导电介质缓冲层。