| 发明名称 | 一种晶体硅太阳能电池及其钝化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种一种晶体硅太阳能电池的钝化方法，包括如下步骤：(1)将完成二次清洗去磷硅玻璃步骤后的硅片在800～850℃氧化气氛下进行氧化处理，使硅片的扩散面上生成厚度为5～20nm的氧化层；(2)将步骤(1)获得的硅片的氧化层上沉积SiN<sub>x</sub>薄膜，所述SiN<sub>x</sub>薄膜的厚度为55～65nm，相应折射率为2.0～2.2。本发明结合了热生长SiO<sub>2</sub>良好的表面钝化作用与沉积SiN<sub>x</sub>薄膜的H钝化作用，降低了硅片表面的复合率，提高了太阳能电池的短波响应，提高了太阳能电池的光电转换效率的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN101499502A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200910024895.1 | 申请日期 | 2009.03.02 |
| 申请人 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 | 发明人 | 董经兵;王栩生;章灵军 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陶海锋 |
| 主权项 | 1. 一种晶体硅太阳能电池的钝化方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将完成二次清洗去磷硅玻璃步骤后的硅片在800～850℃氧化气氛下进行氧化处理，使硅片的扩散面上生成厚度为5～20nm的氧化层；(2)将步骤(1)获得的硅片的氧化层上沉积SiNX薄膜，所述SiNX薄膜的厚度为55～65nm，相应折射率为2.0～2.2。 | ||
| 地址 | 215129江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 | ||