| 发明名称 | 用于形成半导体器件的存储电容器的方法 | ||
| 摘要 | 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。 | ||
| 申请公布号 | CN100524697C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200510118196.5 | 申请日期 | 2005.11.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金洛焕;曹永周;金晟泰;朴仁善;李铉德;李炫锡;郑正喜;金玄永;林炫锡 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L27/102(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1. 一种形成存储电容器的方法，包括：在半导体衬底上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括位于其上延伸到半导体衬底的开口；在层间绝缘层上的开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地除去部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽，该凹槽具有下表面和侧面；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在氮化钛层上形成氮氧化钛层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||