发明名称 |
显示装置及其制造方法 |
摘要 |
一种显示装置及其制造方法,该显示装置包括:形成在玻璃基体上的半导体层,形成在上述半导体层上的具有硅的绝缘膜,以及形成在上述绝缘膜上的栅极,其中,上述半导体层包括:沟道区、进行了重掺杂的第一区,以及在上述第一区与上述沟道区之间进行了轻掺杂的第二区,上述栅绝缘膜在上述第二区上的膜比在上述沟道区上的膜薄,在上述第一区上的膜比在上述第二区上的膜薄。 |
申请公布号 |
CN100523966C |
申请公布日期 |
2009.08.05 |
申请号 |
CN200410095724.5 |
申请日期 |
2002.02.06 |
申请人 |
株式会社日立制作所 |
发明人 |
田边英夫;下村繁雄;大仓理;栗田雅章;木村泰一;中村孝雄 |
分类号 |
G02F1/136(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/136(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王以平 |
主权项 |
1. 一种显示装置,其特征在于,包括:形成在玻璃基体上的半导体层,形成在上述半导体层上的具有硅的绝缘膜,以及形成在上述绝缘膜上的栅极,其中,上述半导体层包括:沟道区、高浓度掺杂的源区和漏区,以及低浓度掺杂的轻掺杂漏区、即LDD区,上述源区和漏区分别配置在上述沟道区的两侧,上述LDD区配置在上述源区和漏区与上述沟道区之间或配置在上述漏区与上述沟道区之间,上述绝缘膜在上述LDD区上的膜比在上述沟道区上的膜薄,在上述源区和漏区上的膜比在上述LDD区上的膜薄,在上述沟道区和上述源区和漏区上形成有层间绝缘膜,经由在上述层间绝缘膜中形成的接触孔,上述源区与像素电极相连接,而上述漏区与漏极信号线相连接。 |
地址 |
日本东京 |