| 发明名称 | 一种监测结构及包括监测结构的掩膜版及其使用方法 | ||
| 摘要 | 一种监测结构及包括监测结构的掩膜版及其使用方法，所述监测结构的长度和宽度均小于切割道切割区域的长度和宽度，其中的关键尺寸条和对准标记按照与所述监测结构方向排列。所述掩膜版包括1个或多个所述监测结构。所述监测结构的使用方法，包括如下步骤：a.将监测结构设置在掩膜版上；b.通过曝光工艺将所述监测结构复制到晶片上；c.切割掉复制在晶片上的所述监测结构，其中切割道切割区域应覆盖所述监测结构。本发明能消除监测结构切割过程中的金属残留。 | ||
| 申请公布号 | CN101498896A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200810033256.7 | 申请日期 | 2008.01.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 顾以理 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 罗 朋 |
| 主权项 | 1. 一种用于监测半导体光刻工艺的监测结构，其特征在于，所述监测结构的图案包括以下任多项：-1个或多个关键尺寸条，-1个或多个对准标记，所述监测结构的图案宽度小于等于切割道切割区域的宽度。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||