| 发明名称 | 具有分层次孔隙度的含硅材料 | ||
| 摘要 | 叙述了由至少两种基本的球形粒子组成的具有分层次孔隙度的材料，每一种所述球形粒子含有孔隙度为0.2～2nm的沸石型纳米晶体和孔隙度为1.5-30nm并具有厚度为1～20nm的无定形壁的中度结构化的基于氧化硅的基质，所述初级球形粒子的最大直径为10μm。该基于氧化硅的基质可含有铝。还叙述了所述材料的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100522810C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200510080927.1 | 申请日期 | 2005.06.24 |
| 申请人 | 法国石油公司 | 发明人 | A·肖蒙诺特;A·库佩;C·桑切斯;P·厄岑;C·布瓦西埃;D·格罗索 |
| 分类号 | C01B37/02(2006.01)I;B01J29/00(2006.01)I;C04B35/18(2006.01)I;C04B35/14(2006.01)I | 主分类号 | C01B37/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘维升;段晓玲 |
| 主权项 | 1. 由至少两种基本的球形粒子构成的具有分层次孔隙度的材料，每一种所述球形粒子含有孔隙尺寸为0.2～2nm的沸石型纳米晶体和孔隙尺寸为1.5～30nm并具有厚度为1～20nm的无定形壁的中度结构化的基于氧化硅的基质，所述基本的球形粒子的最大直径为10μm。 | ||
| 地址 | 法国吕埃-马迈松 | ||