避免深沟槽工艺产生角凹槽的方法

摘要

本发明公开了一种避免深沟槽工艺产生角凹槽的方法，该方法采用流动性填充材料填充沟槽并覆盖硅片表面之后，进行所述填充材料的回刻，使残余的填充材料保护侧面的氧化层和下面的多晶硅，然后利用等离子刻蚀去除上层氧化膜。本发明采用等离子刻蚀，避免侧面氧化层被侵蚀，并有效控制多晶硅氧化后形成的角凹槽。

主权项

1、一种避免深沟槽工艺产生角凹槽的方法，所述沟槽形成在最上层为上层氧化膜的硅片内，其特征在于：第一步，采用流动性填充材料填充沟槽，使填充材料覆盖沟槽和硅片表面；第二步，填充材料的回刻，去除硅片表面的填充材料，同时沟槽内的填充材料刻蚀到一定高度，使残余的填充材料保护侧面的氧化层和下面的多晶硅；第三步，利用等离子刻蚀去除上层氧化膜；第四步，刻蚀残余填充材料。