| 摘要 |
本发明提供一种双触发型矽控整流器，其包含有：半导体基底、N井、P井、第一N＋扩散区域与第一P＋扩散区域、第二N＋扩散区域与第二P＋扩散区域；第三P＋扩散区域，设于双触发型矽控整流器一侧并横跨N井与P井；第三N＋扩散区域，设于其另一侧并横跨N井与P井；第一闸极，设于第二P＋扩散区域与第三P＋扩散区域间的N井之表面上方，用于作为P型触发点，以接收第一触发电流或第一触发电压；以及第二闸极，设于第二N＋扩散区域与第三N＋扩散区域之间的P井之表面上方，用于作为N型触发点，以接收第二触发电流或第二触发电压。 |
