| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置的制造方法，系包含有：准备在上方至少局部形成有至少一个柱状半导体层之基板的步骤；于包含有前述至少一个柱状半导体层表面之至少局部的前述基板上方之至少局部形成第一绝缘膜之步骤；于前述第一绝缘膜上形成导电膜之步骤；非等向性地去除前述第一绝缘膜及前述导电膜，而将前述柱状半导体层侧面的前述导电膜及第一绝缘膜形成为期望长度，以形成闸极电极之步骤；其后，于表面至少局部形成保护膜之步骤；非等向性地去除前述保护膜，而于形成为前述期望长度的柱状半导体层侧面的导电膜及第一绝缘膜上部形成期望厚度的保护膜侧壁之步骤；以及一边藉由前述保护膜侧壁来保护形成前述期望长度的柱状半导体层侧面的导电膜及第一绝缘膜，一边选择性地去除前述导电膜及前述第一绝缘膜，以形成闸极电极及从该闸极电极延伸至基板侧之闸极配线之步骤。 |
