发明名称 单晶成长装置及单晶成长方法
摘要 本发明关于以高良率来成长高品质的结晶成长,谋求结晶良率的改善之结晶成长装置或结晶成长方法。本发明关于在进行结晶成长时,为了促进导致结晶品质降低或结晶紊乱等不良影响的混入水分、混入空气等的活性气体成分、或所生成的碳化合物气体之真空排气,藉由炉壁材的升温、供给气体的升温、用于进行去除吸附气体的微量气体之添加及升温顺序,而高效率地进行炉内吸附气体或混入气体的排气之结晶成长装置及结晶成长方法。
申请公布号 TW200932965 申请公布日期 2009.08.01
申请号 TW098100804 申请日期 2009.01.10
申请人 由尼恩马德利亚尔股份有限公司;堀冈佑吉 发明人 樱木史郎;堀冈佑吉
分类号 C30B29/06(2006.01);C30B15/00(2006.01) 主分类号 C30B29/06(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本