| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung (200) zum Abgleich einer Widerstandsschaltung (100), die einen Feldeffekttransistor (M1) als steuerbaren Widerstand aufweist und eine Ansteuerschaltung (AMP), über die der Feldeffekttransistor (M1) mit einer Gate-Source-Spannung so ansteuerbar ist, dass ein Widerstand zwischen einer Drainelektrode (D) und einer Sourceelektrode (S) des Feldeffekttransistors (M1) in einem vorgebbaren Verhältnis steht zu einem Referenzwiderstand (R). Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung (200) ist dadurch gekennzeichnet, dass in einer Abgleichbetriebsart ein Referenzstrom (I1, I2) durch die Drain-Source-Strecke des Feldeffekttransistors (M1) und durch den Referenzwiderstand (R) einstellbar ist, der abhängig ist von einer Differenzspannung (dU) zwischen einem von dem Referenzstrom (I1) verursachten Spannungsabfall an dem Referenzwiderstand (R) und einem von l an der Drain-Source-Strecke des Feldeffekttransistors (M1).
|
