薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

摘要

本发明涉及一种用于提供包括铜合金的信号线的系统和技术，所述铜合金包括钼、钨和铬中的至少一种。本公开提供薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基板；形成在该绝缘基板上的栅极线；形成在该栅极线上的栅极绝缘层；形成在该栅极绝缘层上的半导体层；形成在该栅极绝缘层和该半导体层上的欧姆接触；具有形成在该欧姆接触之一上且具有比其下的欧姆接触窄的宽度的源极电极的数据线；以其间一间隙对着该源极电极且具有比其下的欧姆接触窄的宽度的漏极电极；以及连接至所述漏极电极的像素电极，其中所述栅极线和所述数据线中的至少一种包括Cu合金，所述Cu合金包括Cu以及选自含有钼(Mo)、钨(W)和铬(Cr)的组的一种。

主权项

1. 一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基板；栅极线，其形成在该绝缘基板上；半导体层，其形成于所述栅极线上；欧姆接触层，其形成于所述半导体层上；源极电极和漏极电极，其形成于所述半导体层上；薄膜晶体管，其连接至所述栅极线和所述漏极电极；以及像素电极，其连接至所述薄膜晶体管，其中所述栅极线、所述源极电极和所述漏极电极中的至少一种包括Cu合金，所述Cu合金包括Cu以及在所述Cu合金中含有0.1至3wt％的选自包括钼(Mo)、钨(W)和铬(Cr)的组的至少一种金属，其中所述欧姆接触层具有在所述源极电极和所述漏极电极外面的暴露部分。