| 发明名称 | 氧化锌掺杂的聚偏氟乙烯介电薄膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氧化锌掺杂的聚偏氟乙烯介电薄膜材料及其制备方法，该介电薄膜材料是将棒状纳米氧化锌掺杂在聚偏氟乙烯内，并依据渗流理论制得介电常数高的介电薄膜材料。本发明将棒状纳米氧化锌掺杂到聚偏氟乙烯中，在频率100Hz条件下掺杂有氧化锌的聚偏氟乙烯介电薄膜材料的介电常数可达230。 | ||
| 申请公布号 | CN101494094A | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200910079445.2 | 申请日期 | 2009.03.11 |
| 申请人 | 北京航空航天大学 | 发明人 | 邓元;王广胜;李娜;党宇 |
| 分类号 | H01B3/44(2006.01)I;H01G4/14(2006.01)I;C08L27/16(2006.01)I;C08K3/22(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I | 主分类号 | H01B3/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京永创新实专利事务所 | 代理人 | 周长琪 |
| 主权项 | 1、一种氧化锌掺杂的聚偏氟乙烯介电薄膜材料，其特征在于：是由直径为80nm～200nm，长为1μm～3μm的低维纳米结构的棒状氧化锌和粒径为10μm～20μm的聚偏氟乙烯组成。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区学院路37号 | ||