发明名称 |
静电放电引导电路 |
摘要 |
一种静电放电引导电路,其用于一大尺寸开放式漏极电路的静电放电防护电路,包括:电压源,用以提供电压;第一PMOS,耦接至电压源;第一NMOS,耦接至PMOS;寄生二极管,耦接至PMOS;第二NMOS,耦接至PMOS的漏极;第一寄生电容,耦接至第二NMOS;第二寄生电容,耦接至第一寄生电容与第二NMOS;以及栅极电压提升电路,耦接至第二NMOS的栅极与源极,栅极电压提升电路包括:第三NMOS;第一电容耦接至第三NMOS的源极;接地端;和第一电阻耦接于第一电容与接地端。其利用栅极电压提升电路用以提升第二NMOS的栅极电压。本发明可以解决NMOS栅极电压过低以及不正常导通而降低静电放电防护表现等问题。 |
申请公布号 |
CN101494378A |
申请公布日期 |
2009.07.29 |
申请号 |
CN200810004262.X |
申请日期 |
2008.01.24 |
申请人 |
普诚科技股份有限公司 |
发明人 |
郭荣彦 |
分类号 |
H02H9/00(2006.01)I;H02H9/04(2006.01)I |
主分类号 |
H02H9/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
1.一种静电放电引导电路,其特征在于,用于一输出电路,该输出电路包括:一电压源,用以提供一电压;一第一P型金属氧化物半导体,耦接至该电压源;一第一N型金属氧化物半导体,耦接至该P型金属氧化物半导体;一寄生二极管,耦接至该P型金属氧化物半导体;一第二N型金属氧化物半导体,耦接至该P型金属氧化物半导体的漏极;一第一寄生电容,耦接至该第二N型金属氧化物半导体;一第二寄生电容,耦接至该第一寄生电容与该第二N型金属氧化物半导体;以及一栅极电压提升电路,耦接至该第二N型金属氧化物半导体的栅极与源极,其中该栅极电压提升电路包括:一第三N型金属氧化物半导体;一第一电容耦接至该第三N型金属氧化物半导体的源极;一接地端;和一第一电阻耦接于该第一电容与该接地端。 |
地址 |
中国台湾台北县 |