半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在形成铁电电容器之后，在铁电电容器的上电极上形成由Ti或Ir制成的覆盖膜。随后，形成覆盖铁电电容器的氧化铝膜作为保护膜。此外，通过溅射方法形成覆盖铁电电容器的SiO₂膜，其中氧化铝膜位于铁电电容器与SiO₂膜之间。在形成层间绝缘膜之后，分别形成抵达覆盖膜和下电极的孔，并且在孔中形成由Ti或TiN制成的阻挡金属膜和W膜。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：铁电电容器，所述铁电电容器包括铁电膜及上电极，所述上电极形成于所述铁电膜上并且是由氧化铱制成的；金属膜，形成在所述铁电电容器上，所述金属膜是Pt膜或Ir膜，第一绝缘膜，其覆盖所述铁电电容器且覆盖所述金属膜，并抑制水分渗透到所述铁电电容器中，所述第一绝缘膜是氧化铝膜或氧化钛膜；第二绝缘膜，其具有高于所述第一绝缘膜的加工性，并且覆盖所述铁电电容器并抑制水分渗透到所述铁电电容器中，其中所述第一绝缘膜位于所述铁电电容器与所述第二绝缘膜之间，所述第二绝缘膜是氧化硅膜，所述第二绝缘膜的厚度在100nm与200nm之间；层间绝缘膜，其形成在所述第二绝缘膜上；开口，形成在所述层间绝缘膜、所述第二绝缘膜以及所述第一绝缘膜中，所述开口抵达所述金属膜；塞，设置在所述开口中，并且形成阻挡金属膜和W膜作为所述塞，该阻挡金属膜是Ti膜或TiN膜；以及布线，设置在所述层间绝缘膜上并连接到所述塞。