成膜方法

摘要

本发明涉及一种在能真空抽吸的处理容器内在被处理体的表面形成金属氮化膜的方法。本发明的方法具备下述工序：向高成膜温度的处理容器内连续地供给惰性气体的工序；和在上述惰性气体的连续的供给工序中，向处理容器内间歇地供给金属源气体的工序。在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的供给期间中，在供给上述金属源气体的同时向处理容器内供给含氮还原气体。另外，在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的间歇期间中，在比该间歇期间短的期间向处理容器内供给上述含氮还原气体。在上述金属源气体的1次供给期间中形成的上述金属氮化膜的膜厚是60nm或以下。根据本发明，即使在比较高的温度下进行成膜处理，也能够堆积氯浓度低、电阻率也小、还抑制了裂纹发生的金属氮化膜。

主权项

1. 一种成膜方法，是在能真空抽吸的处理容器内在被处理体的表面形成金属氮化膜的方法，其特征在于，具备下述工序：向高成膜温度的处理容器内连续地供给惰性气体的工序；在上述惰性气体的连续的供给工序中，向处理容器内间歇地供给金属源气体的工序；在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的供给期间中，在供给上述金属源气体的同时向处理容器内供给含氮还原气体的工序；和在上述金属源气体的间歇的供给工序中，在上述金属源气体的间歇期间中，在比该间歇期间短的期间向处理容器内供给上述含氮还原气体的工序，其中在上述金属源气体的1次供给期间中形成的上述金属氮化膜的膜厚是60nm或以下，其中所述高成膜温度为500℃-700℃。