| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置。其目的是提供一种能充分地发挥静电保护元件的箝位能力，能保护内部电路免受由静电引起的电涌的破坏的半导体装置。本发明的半导体装置在半导体衬底上设置有：内部电路；利用连接配线及接地配线与上述内部电路连接的连接区及接地区；以及连接在上述连接区和上述接地区之间的静电保护元件；上述半导体衬底和上述接地配线通过以规定的密度形成于上述接地配线上的接点进行电连接，其特征是，上述规定的密度设定为从上述连接区经由上述静电保护元件至上述接地区的部分的阻抗低于从上述连接区经由上述内部电路至上述接地区的部分的阻抗。 | ||
| 申请公布号 | CN101494221A | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200810174121.2 | 申请日期 | 2008.11.07 |
| 申请人 | 三美电机株式会社 | 发明人 | 山里启介 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张敬强 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，在半导体衬底上设置有：内部电路；利用连接配线及接地配线与上述内部电路连接的连接区及接地区；以及连接在上述连接区和上述接地区之间的静电保护元件，上述半导体衬底和上述接地配线通过以规定的密度形成于上述接地配线上的接点进行电连接，其特征在于，上述规定的密度设定为，从上述连接区经由上述静电保护元件至上述接地区的部分的阻抗低于从上述连接区经由上述内部电路至上述接地区的部分的阻抗。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||