发明名称 | 接触孔插塞的制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种接触孔插塞的制造方法,包括提供介电层,其包括多个接触孔插塞,上述多个接触孔插塞穿过上述介电层,以接触多个导电区域。形成穿过上述介电层的开口之后,利用电镀方式,在上述多个导电区域和上述多个接触孔插塞之间形成接触孔插塞阻障层,而上述开口用于形成上述多个接触孔插塞。然后,对上述接触孔插塞阻障层进行处理步骤,以填满上述接触孔插塞阻障层的晶界,因而改善接触孔插塞的电阻。在另一个实施例中,在形成上述介电层之前,利用电镀方式,在上述多个导电区域上形成上述接触孔插塞阻障层。本发明可以降低接触孔插塞的电阻,且可防止铜材料迁移而和邻近的材料层产生不想要的反应。 | ||
申请公布号 | CN101494192A | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
申请号 | CN200810146017.2 | 申请日期 | 2008.08.06 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 刘重希;余振华 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨 |
主权项 | 1.一种接触孔插塞的制造方法,包括下列步骤:形成导电区域;在该导电区域上方形成介电层;形成至少一个开口,穿过该介电层,以暴露出至少一部分该导电区域,该开口包括多个侧壁和位于该导电区域上方的底部;沿着该开口的该底部选择性形成接触孔插塞阻障层,该接触孔插塞阻障层包括第一材料;对至少一部分该接触孔插塞阻障层进行处理步骤,以于该接触孔插塞阻障层中形成第二材料;以及在该接触孔插塞阻障层上方形成导电材料,并接触该多个侧壁。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |