一种半导体器件的制造方法及在这种方法中使用的装置

摘要

本发明涉及一种半导体器件(10)的制造方法，该半导体器件(10)具有衬底(1)和包含至少一个半导体元件的半导体主体(11)，其中，在该元件形成后，形成一个分层的结构，该分层的结构包含至少一个电绝缘层(2)或一个导电层(3)，其中，借助于图案化的光刻胶层(4)和刻蚀工艺在层结构中形成孔，其中，在刻蚀工艺过程中，在半导体主体(11)的表面上形成残留物，并且其中，在刻蚀工艺之后，通过利用含氧化合物的处理，光刻胶层(4)被灰化，之后，该表面接受利用包含用水稀释的酸溶液并加热到高于室温的温度的清洗剂的清洗操作，从而导致形成的残留物被去除。根据本发明，选择硫酸作为用于清洗剂的酸。

主权项

1、一种制造具有衬底(1)和包含至少一个有源半导体元件的半导体主体(11)的半导体器件(10)的方法，其中，在该半导体元件形成后，设置一个分层的结构，该分层的结构包含至少一个电绝缘层(2)或一个导电层(3)，其中，通过图案化的光刻胶层(4)和刻蚀工艺在该分层的结构中形成孔，其中，在所述刻蚀工艺过程中，在所述半导体主体(11)的表面形成残留物(6)，其中，在所述刻蚀工艺之后，借助于含氧化合物的处理，所述光刻胶层(4)被灰化，之后，利用包含以水稀释的酸溶液且被加热到20-60℃之间的温度的清洗剂来清洗所述半导体主体(11)的表面，其结果，形成的所述残留物(6)从该表面去除，其特征在于：选择硫酸用于该清洗剂中的酸，选择的硫酸浓度按重量计算在0.01～10％之间，其中选择仅是硫酸和软化水的溶液用于所述稀释的酸溶液，或其中选择硫酸和磷酸在软化水中的溶液用于所述稀释的酸溶液。