| 摘要 |
L'invention concerne une cellule mémoire EEPROM comprenant un transistor MOS à double grille dont les deux grilles (87, 98) sont séparées par une couche isolante, caractérisée en ce que la couche isolante est constituée d'une première portion (89) et d'une seconde portion (96) moins isolante que la première portion, la seconde portion étant située, au moins en partie, au-dessus d'une région de canal du transistor.
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