发明名称 Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung
摘要 Ausführungsformen beziehen sich auf einen Bildsensor und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Der Bildsensor kann ein erstes Substrat umfassen, das eine hierauf ausgebildete Schaltung aufweist. Er kann ferner eine Fotodiode umfassen, die auf das erste Substrat gebondet und mit der Schaltung elektrisch verbunden ist, und einen Kontaktplug an einem Bildpunktrand, der mit der Schaltung und der Fotodiode elektrisch verbunden sein kann. Die Fotodiode kann ein Ionenimplantationsgebiet eines ersten Leitungstyps, das selektiv in einer kristallinen Halbleiterschicht vorgesehen ist, und ein Ionenimplantationsgebiet eines zweiten Leitungstyps, das mit einer Seitenfläche des Ionenimplantationsgebiets des ersten Leitungstyps Kontakt hat, umfassen.
申请公布号 DE102008051929(A1) 申请公布日期 2009.07.16
申请号 DE200810051929 申请日期 2008.10.16
申请人 DONGBU HITEK CO. LTD. 发明人 KIM, TAE GYU
分类号 H01L27/146;H01L21/283;H01L21/768 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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